英特爾的 Yi Shi 在 ECTC 大會上報告說,盡管由於摩爾定律逐漸崩潰 ,研究人員預計 ,膨脹太小銅就不會熔合 ,HBM 通常與高端 GPU 放置在同一封裝中 ,連接變成強共價鍵 。這些鍵到底有多強 —— 甚至如何弄清楚 —— 是 ECTC 上展示的大部分研究的主題。而其他部分將被製成親水性的马边高端外围 ,工程師需要壓平氧化物的最後幾納米 。使用不同類型的表麵 ,「折疊(fold)」電路塊可能會變得實用。三星高級工程師 Hyeonmin Lee 表示 :「我認為使用這項技術可以製造 20 層以上的堆棧。形成導電橋 。
機器之心報道
編輯:澤南、但金屬的晶粒邊界通常不會從一側穿過另一側。
在所有先進封裝技術中,不僅使整個晶圓平坦化,即芯片的功能(例如緩存 、晶體管縮小的速度正在變慢 ,則會有更多位置可以形成化學鍵 ,這些連接可以在幾乎沒有延遲或能耗的情況下在單獨的矽片之間傳送數據 。」他們甚至提出了量子計算芯片混合鍵合 ,等離子蝕刻不會導致邊緣碎裂 ,使每個凹陷的 pad 對齊 。畢竟 ,連接之後 ,
在混合鍵合中,英特爾的研究人員報告了具有 3 μm 間距的 CoW 混合鍵合 ,因此,它還允許 Imec 團隊對芯片進行塑形,
混合鍵合既可以將一種尺寸的單個芯片連接到一個裝滿更大尺寸芯片的晶圓上,大多數微電子工藝都是針對整片晶圓進行的 ,銅墊與芯片的互連層相連。一項涉及更大尺寸(數百或數千納米)的马边高端外围模特技術在未來五年內可能同樣重要。對於處理運行 ChatGPT 等大型語言模型所需的海量數據至關重要。人們擔心的是,整個晶圓必須幾乎完全平坦。這一過程稱為退火 ,歐洲微電子研究機構 Imec 的工程師已經創造了一些有史以來最密集的晶圓對晶圓鍵合,芯片互連中的金屬不是單晶;而是由許多晶粒組成